University of Illinois, Urbana-Champaign vedci vyvinuli nový prístup posilniť zelená LED jasu a zlepšiť jej účinnosť.
Profesor môže Bayram, odborný asistent elektrického a počítačového inžinierstva na University of Illinois, vypracovala nový prístup pre zvýšenie jasu a účinnosti zelenými LED diódami. (Všetky zdroj: University of Illinois)
Pomocou štandardných polovodičových dlhé crystal technológie, výskumníci vymyslel riffoch nitrid (GaN) na substrátoch kremíka, ktoré produkujú vysokovýkonné zelenú polovodičového osvetlenia.
"Je to priekopnícky procesu v ktorom výskumníkov úspešná pri výrobe nových surovín nastaviteľné CMOS kremíka postup, ktorý je námestie gálium nitrid (kubický GaN)," povedal môžete Bayram, odborný asistent elektrických a výpočtová technika v University of Illinois. ), Tento materiál sa používa hlavne pre zelené vlnovej emitor.
Použitie polovodičov pre snímanie a komunikácie otvoriť viditeľné svetlo adátovú a optickej komunikácie je technológia kompletne zmeniť aplikácii svetlo. LED diódy, ktoré podporujú CMOS procesov možno dosiahnuť rýchlo, efektívne, low-power a viac aplikácií zelenými LED diódami zároveň eliminuje náklady na mnohé proces zariadenia.
Zvyčajne GaN tvorí jedna alebo dve štruktúry kryštál, šesťhranné alebo kocky. Šesťhranné GaN je tepelne stabilný a je tradičné polovodičové aplikácie. Však šesťhranné GaN je viac náchylný k jav polarizácie, vnútorné elektrické pole bude záporné elektróny a pozitróny oddeliť, aby im bránia lepenie, vedie k svetelný výstup.
Doteraz výskumníci použiť len epitaxiová lϊθa (epitaxiová molekulovým lúčom) vytvoriť námestie GaN, tento proces je veľmi drahé a v porovnaní s MOCVD je časovo náročný proces.
Vedci sa podarilo výrobu nových surovín laditeľné CMOS kremíka postup, ktorý je námestie gálium nitrid, ktorý je primárne používaný pre zelené vlnovej emitor.
Bayram hovorí: "litografie a izotropné leptanie techniky vytvoriť U-riadok drážky na kremík. Táto vrstva nevodivé bariéry zohráva kľúčovú úlohu pri formovaní šesťhranné námestie. Naše GaN nie je vnútorné elektrické pole môžete oddeliť elektróny, takže možno prekrývajúce problémy, elektróny a diery sú rýchlejšie kombinované a vyrobené z ľahkej.
Bayram a Liu verí, že námestie GaN kryštály môžu uspieť v umožnení LED dosiahnuť nulový pokles (poklesom). Zelené, modré alebo UV LED, Svetelný efektívnosť týchto LED bude postupne klesať s vstupného prúdu, takzvaný ľahké poruchy.
Táto štúdia ukazuje, že polarizácia zohráva rozhodujúcu úlohu v probléme ľahké poruchy, tlačí elektróny od drážok, najmä nízke vstupné prúdy. V prípade nulovej polarizácia štvorcové LED dosiahnuť hrubšia vrstva svetlo-vyžarujúce a riešiť znížené elektrón a groove prekrývajú a súčasné preťaženie.
Lepšie zelená LED bude úspešne otvoriť nové aplikácie polovodičového osvetlenia LED. Napríklad tieto LED bude vyžarovať biele svetlo zmiešaním a dosiahnutie úspory energie. Iných pokročilých aplikácií aj použitie non-Žiarivka zelená LED výroba Super-paralelné aplikácie LED, vodné komunikácie a napríklad optické genetiky a migréna a iné biotechnologických aplikácií.
http://www.luxsky-Light.com
Vzťažné zámená:
IP65 LED panely,UL LED panely,LED profil svetlo,LED lineárna rastú svetlo,vysoká bay svetlo, lineárne osvetlenie commercal
